Обзор и тестирование твердотельного накопителя Samsung SSD 850 Pro 128GB

Корпорация Samsung часто выступает в виде новатора интересных решений и всегда старается максимально быстро внедрить в свои продукты новые технологии. Вот и в сфере производства флэш-памяти корейский гигант решил не участвовать в гонке нанометров по выпуску MLC-памяти, а разработать нечто альтернативное. Венцом их работы на сегодняшний день стала память 3D V-NAND. Главная особенность которой состоит в абсолютно ином подходе к компоновке ячеек памяти — создании вертикальных слоев, что избавляет от необходимости наращивания плотности хранения данных на двумерной плоскости кристалла. Актуальные поколение ячеек V-NAND насчитывает 32 слоя и позволяет выпускать чипы по более старому и проверенному 40-нм техпроцессу, что в свою очередь обеспечивает повышенную надежность и ресурс работы памяти. Производитель заявляет о 35 000 циклах перезаписи и это значительно превосходит сегодняшние возможности MLC-чипов.


Samsung SSD 850 Pro (MZ-7KE128)

Первым продуктом для массового рынка с использованием новой памяти 3D V-NAND стал Samsung SSD 850 Pro. Он пришел на смену прошлому флагману в лице 840 Pro и призван побороться за звание самого быстрого SSD на сегодняшний день.


Серия 850 Pro насчитывает четыре устройства объёмом от 128 до 1024 Гбайт. Максимальный уровень производительности доступен уже в модели MZ-7KE256, ёмкостью всего в 256 Гбайт. При этом скорость записи младшего продукта MZ-7KE128 равняется 470 Мбайт/с, что значительно выше чем у большинства конкурентов аналогичного объема. Ресурс наработки для каждой модели составляет 2 000 000 часов или 150 Тбайт записи соответственно. Этого должно хватить для ежедневной записи в 40 Гбайт на протяжении десяти лет.

В Samsung SSD 850 Pro установлен знакомый по серии 840 EVO контроллер MEX с частотой 400 МГц. Стоит отметить, что алгоритм его работы был полностью переписан ввиду использования новой памяти. В дополнение к контроллеру, тестируемый образец оснащен буфером LPDDR2-памяти на 256 Мбайт.

	MZ-7KE128	MZ-7KE256	MZ-7KE512	MZ-7KE1T0
Ёмкость, ГБ	128	256	512	1024
Скорость последовательного чтения, МБ/с	550	550	550	550
Скорость последовательной записи, МБ/с	470	520	520	520
Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS	100 000	100 000	100 000	100 000
Максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS	90 000	90 000	90 000	90 000
Буфер	256 МБ LPDDR2	512 МБ LPDDR2	512 МБ LPDDR2	1024 МБ LPDDR2
Контроллер	Samsung 3-core MEX controller	Samsung 3-core MEX controller	Samsung 3-core MEX controller	Samsung 3-core MEX controller
Тип памяти	Samsung, 40-нм, 3D V-NAND	Samsung, 40-нм, 3D V-NAND	Samsung, 40-нм, 3D V-NAND	Samsung, 40-нм, 3D V-NAND
Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов	2 000 000	2 000 000	2 000 000	2 000 000
Интерфейс подключения	SATA 6 Гбит/с	SATA 6 Гбит/с	SATA 6 Гбит/с	SATA 6 Гбит/с
Потребляемая мощность (чтение/запись), Вт	3,0–3,3	3,0–3,3	3,0–3,3	3,0–3,3
Потребляемая мощность (простой), Вт	0,4	0,4	0,4	0,4
Форм-фактор	2,5″	2,5″	2,5″	2,5″
Габариты, мм	100 x 69,85 x 6,8	100 x 69,85 x 6,8	100 x 69,85 x 6,8	100 x 69,85 x 6,8
Масса, г	66	66	66	66

Устройство поставляется в крупной картонной коробке. На лицевой стороне упаковки кроме названия серии можно найти упоминание об использовании той самой памяти V-NAND.


С обратной стороны указаны максимальные показатели скорости работы для каждой модели, перечислены ключевые преимущества установленной памяти и подчеркнуто наличии десятилетней гарантии.


Внутри упаковки нашлось место для твердотельного накопителя, руководства пользователя, диска с программным обеспечением и пары фирменных наклеек.


Корпус SSD выполнен из черного матового металла с серебристой окантовкой. Дизайн строгий и лаконичный.


Тыльная сторона прикрыта наклейкой с информацией о конкретном экземпляре накопителя.


Показатели S.M.A.R.T. насчитывают четырнадцать атрибутов, из которых можно узнать все необходимое о состоянии диска.


Для Samsung SSD 850 Pro по-прежнему остается актуальной заводская прошивка, в чем можно убедиться, заглянув на сайт производителя или воспользовавшись фирменной утилитой Samsung Magician. Если говорить о программной поддержке, то она реализована на высшем уровне. Samsung Magician предоставляет широкий ряд возможностей, среди которых: отчет о состоянии накопителя, проверка скорости работы, обновление прошивки, возможность сброса устройства к заводскому состоянию, повышение уровня быстродействия за счет технологии RAPID.


При активации последней система выделяет от одного до четырех гигабайт оперативной памяти под кеширование запросов к SSD. Скорость работы возрастает, но возникает некий риск потери информации находящейся в кэше при аварийном завершении работы компьютера.


Стоит упомянуть и об утилите Samsung Data Migration. Данная программа предназначена для удобного переноса операционной системы со старого накопителя на новый.

Тестовый стенд

Конфигурация:

• процессор: Intel Core i3-3220 (3,3 ГГц, 3 МБ);
• кулер: Zalman CNPS10X Performa;
• материнская плата: MSI Z77A-G43 (Intel Z77);
• оперативная память: Kingston KHX1600C9D3K2/8GX (2x4 ГБ, 1600 МГц, 9-9-9-24-1Т);
• видеокарта: HIS 7750 iSilence 5 1GB (Radeon HD 7750);
• системный диск: Hitachi HDT725050VLA360 (500 ГБ, 7200 об/мин, SATA 3Gb/s);
• блок питаня: High Power HPC-560-A12C (560 Вт);
• операционная система: Microsoft Windows 7 x64 SP1;
• графический драйвер Radeon: ATI Catalyst 14.3.

Операционная система была установлена на жесткий диск Hitachi HDT725050VLA360, который подключался к чипсетному каналу SATA 6Gb/s. Файл подкачки и режим гибернации на время тестов были отключены. Оперативная память работала в режиме 1600 МГц с задержками 9-9-9-24-1T. На твердотельных накопителях штатными средствами MS Windows 7 создавался логический раздел с файловой системой NTFS и стандартными настройками кластера, занимающий все доступное дисковое пространство. Для измерения производительность использовались следующие программы и методы:

• CrystalDiskMark 3.0.3b;
• AS SSD Benchmark 1.7.4739.38088;
• Futuremark PCMark 8 v2.2.282 (Storage test);
• копирование набора файлов объемом 10 ГБ.

Соперниками Samsung SSD 850 Pro выступили протестированные ранее модели твердотельных накопителей объемом 120–128 Гбайт. Если посмотреть на заявленные характеристики, то SSD от Samsung выглядит безоговорочным лидером. Но скорость работы в реальных приложениях может зависеть от разных факторов и тот факт, что все накопители используют различные контроллеры памяти, только подогревает интерес к тестированию.

Накопитель	Samsung SSD 850 Pro 128GB	Plextor PX-128M5S 128GB	GoodRAM C100 120GB	Kingston SSDNow V+200 120GB
Ёмкость, ГБ	128	128	120	120
Скорость последовательного чтения, МБ/с	550	520	500	535
Скорость последовательной записи, МБ/с	470	200	360	480
Максимальная скорость случайного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS	100 000	71 000	53 000	85 000
Максимальная скорость случайной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS	90 000	51 000	70 000	55 000
Контроллер	Samsung 3-core MEX controller	Marvell (88SS9187)	Phison PS3108	SandForce SF-2281
Тип памяти	Samsung, 40 нм, 3D V-NAND	MLC, 19 нм, Toshiba	MLC, 19 нм, Toshiba	MLC, 25 нм, IMFT
Среднее время наработки на отказ (MTBF), часов	2 000 000	1 500 000	2 000 000	1 000 000
Интерфейс подключения	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s

Результаты тестирования

Проверка работы накопителя в заполненном состоянии не принесла сюрпризов. Samsung SSD 850 Pro демонстрирует высокий уровень быстродействия даже при заполнении свыше 90 процентов.


Синтетический бенчмарк CrystalDiskMark позволяет узнать максимальную скорость работы флэш-накопителей и проверить насколько она соответствует заявленной производителем.





Samsung SSD 850 Pro полностью подтвердил цифры указанные в своей спецификации. Линейная скорости чтения оказались на уровне конкурентов, а вот скорость записи и скорость работы с блоками 4К впечатляет. До сегодняшнего дня, это был непреодолимый рубеж для большинства 128-гигабайтных моделей. Такие результаты более характерны для шустрых SSD объемом от 256 Гбайт.





В AS SSD Benchmark сложилась аналогичная ситуация — паритет в скорости чтения c GooDRAM C100 120GB и полное доминирование Samsung SSD 850 Pro 128GB в результатах записи, работы с 4К-блоками и времени отклика. В некоторых тестах удалось добиться более чем двукратного отрыва от ближайшего преследователя.

Тест Storage из бенчмарка PCMark 8 способен имитировать работу десяти реальных приложений и отлично подойдет, чтобы определить скорость работы Samsung SSD 850 Pro при повседневном использовании.



Средняя скорость работы в 266 Мбайт/с — это лучший результат среди всех 120–128 Гбайтных моделей, которые побывали у нас в лаборатории и он очень близок к результату протестированного ранее Crucial MX100 256GB.


В развернутом отчете видно, что Samsung SSD 850 Pro 128GB оказался лидером в восьми из десяти программ. Ближайшим конкурентом оказался GooDRAM C100 120GB, отрыв от которого колеблется от 1 до 40 %.

Копирование тестового набора файлов завершало серию тестов. Структура набора стандартна:

• видео файлы — 4 ГБ;
• аудио файлы —1 ГБ;
• фото в формате .raw и .jpeg — 2 ГБ;
• PDF, fb2, файлы пакета Microsoft Office — 3 ГБ.

Какие-либо комментарии по результатам излишни. 48 секунд — это новый ориентир для всех накопителей. Гандикап над GoodRAM C100 120GB составил 25%.


Выводы

Samsung SSD 850 Pro 128ГБ является топовым продуктом, объединяя в себе как положительные, так и отрицательные стороны этого понятия. В его активе наличие новейшей памяти 3D V-NAND, высокая скорость работы, ресурс записи в 150 Тбайт и 2 млн. часов наработки на отказ, качественное комплектное программное обеспечение, десятилетняя гарантия. В противовес всему этому выступает цена. Стоимость протестированного образца в Украине составляет около $140, что необычайно дорого как для модели объемом в 128 Гбайт. Популярные аналоги от Plextor, Intel, GoodRAM или Kingston обойдутся на $50 дешевле. Более того, за такую сумму можно приобрести Crucial MX100 на 256 Гбайт.

С учетом такой ценовой политики, Samsung SSD 850 Pro 128GB, скорее всего, останется уделом энтузиастов, которые не готовы мириться с какими-либо компромиссами. По крайней мере, до выхода альтернативных решений, основанных на 3D-памяти производства Micron и Toshiba, что запланированы на вторую половину 2015 года.