С падением цен на память стали популярны модули объемом 4 ГБ, потенциал которых не ограничивается 2133 МГц — уже доступны наборы частотой 2600–2800 МГц. А раз существуют комплекты с такими характеристиками, вполне резонно выжать по максимуму из более дешевой памяти. Если играть в лотерею желания нет, можно попробовать разогнать уже подготовленный продукт. Например, G.Skill F3-17000CL9D-8GBXM, который и будет рассмотрен в данном материале.
G.Skill F3-17000CL9D-8GBXM
Мы уже когда-то рассматривали память серии Ripjaws для платформы Socket LGA1366, отличительной чертой которой были радиаторы с «гребешками». За последние три года компания G.Skill успела дополнить модельный ряд линейками RipjawsX и RipjawsZ. Наш набор относится к первой из этих двух и рекомендован для использования в системах с процессорами Intel LGA1155, хотя ограничений на установки в другие платформы нет.
Комплект из пары модулей и наклейки с логотипом компании поставляется в многоразовом блистере. На этикетке-вкладыше расписаны все положительные качества памяти и указаны почти полные характеристики комплекта.
В отличие от обычных Ripjaws у новой линейки гребешки на радиаторах направлены в центр, при этом пара внутренних ребер соединена перемычкой.
Половинки охладителя прессованы из тонкого алюминиевого листа и надежно закреплены за счет пары замков и «термолипучек» на чипах.
Сами чипы производства Hynix — H5TQ2G83CFR-H9C. Благодаря хорошей работе на высокой частоте емкие микросхемы этого вендора наравне с Samsung стали очень популярны у производителей памяти для энтузиастов, отправив в нокаут таких грандов как Elpida и Micron. Но, как правило, на лаврах долго никто не почивает и с выходом того же стандарта DDR4 возможна серьезная рокировка. Кто знает, вдруг из пепла восстанет популярная во времена первой DDR компания Windbond.
Каждая планка набрана шестнадцатью микросхемами, распаянными на шестислойной PCB, общим объемом 4 ГБ. Рабочая частота составляет 2133 МГц при таймингах 9-11-10-28 и напряжении 1,65 В. Такой параметр как Command Rate на этикетке не указан — тут придется либо воспользоваться профилем XMP, либо же выставить вручную. Это, как правило, 2T, хотя современная память без проблем переносит уменьшенное до единицы значение.
В SPD модулей прописаны шесть стандартных профилей, отвечающих требованиям JEDEC, и два XMP, отличающиеся небольшими корректировками второстепенных задержек.
Тестовая конфигурация
Память разгонялась на системе следующей конфигурации:
- процессор: Intel Core i5-3570К (3,4 ГГц);
- материнская плата: ASUS Maximus V Extreme (Intel Z77 Express);
- видеокарта: Inno3D GeForce GTX 560 Ti;
- кулер: Prolimatech Megahalems;
- накопитель: Kingston SH100S3B/120G (120 ГБ, SATA 6Gb/s);
- блок питания: Seasonic SS-600HM (600 Вт).
Разгон памяти на платформе LGA1155 отличается наличием для неё определённых множителей. А небольшой разгон по BCLK (обычно не превышающий 106–107 МГц) ограничивает возможность свободного изменения частоты памяти. Напомним, что именно процессоры Ivy Bridge позволяют добиться самой высокой на сегодняшний день частоты работы оперативной памяти на этой платформе. Неоднократно энтузиастами уже был доказан тот факт, что разгон памяти сильно зависит ещё и от того, насколько удачный попался экземпляр процессора. Важно и охлаждение центрального процессора. В нашем тестировании используется серийный процессор Intel Core i5 3570K с разгонным потенциалом чуть выше среднего, поэтому результаты будут актуальны для большинства пользователей с аналогичными процессорами.
Разгонный потенциал выяснялся с четырьмя наборами таймингов, актуальными для памяти DDR3 на базе чипов Hynix: 8-10-9-28, 9-11-10-28, 10-12-11-28 и 11-13-12-30 с Command Rate 1T. Второстепенные задержки не изменялись и были в режиме Auto. Напряжение питания модулей составляло 1,65 и 1,75 В, «системного агента» для частоты свыше 2200 МГц поднималось до 1,15 В, для контроллера памяти — до 1,25 В для частот выше 2400 МГц.
Результаты разгона
Итак, при номинальных таймингах, но с Command Rate 1T рассматриваемый комплект без проблем заработал на частоте 2244 МГц. С поднятием напряжения питания удалось прибавить еще 60 МГц. С CL8 сохранялась полная стабильность на частотах 2000–2100 МГц, а вот с увеличением задержек до 10-12-11-28 никакой разницы между используемым напряжением не оказалось — результат был на уровне 2500 МГц. После поднятия таймингов разрыв резко увеличился, достигнув своего апогея на отметке 2652 МГц.
Выводы
Комплект памяти G.Skill F3-17000CL9D-8GBXM оказался весьма неплохим набором, способным работать на частоте 2500–2600 МГц. Такие показатели смогут раскрыть потенциал практически любого процессора, да и лишний процент производительности добавят без проблем. На фоне конкурентов он выделяется радиаторами небольшой высоты, что положительно скажется на совместимости с габаритными процессорными кулерами. По сравнению с планками ОЗУ начального уровня данный комплект гарантировано может работать на высокой частоте и пользователю не придется играть в лотерею с разгоном. При цене менее 100 долларов США набор F3-17000CL9D-8GBXM можно назвать отличным выбором, тем более, что конкуренты с такими таймингами ничего подобного на отечественном рынке не предлагают.
Оборудование для тестирования было предоставлено следующими компаниями:
- ASUS – материнская плата ASUS Maximus V Extreme;
- G.Skill — комплект памяти G.Skill F3-17000CL9D-8GBXM;
- Inno3D — видеокарта Inno3D GeForce GTX 560 Ti;
- Kingston — Kingston SH100S3B/120G;
- Syntex — блок питания Seasonic SS-600HM.
