Например, на G.Skill F3-2666C11D-8GTXD с рабочей частотой 2666 МГц. Ранее нам еще не встречались комплекты с такими характеристиками и подобный набор мы протестируем впервые.
G.Skill F3-2666C11D-8GTXD
Этот комплект относится к серии TridentX, решения которой не раз появлялись на страницах нашего сайта. Но в отличии от прошлых продуктов, наш подопечный поставляется в относительно крупной и невзрачной коробке.
Открыв крышку видим, что большую часть объема занимает оригинальная система охлаждения, а сами модули аккуратно расположены в «гармошке» картонной вставки.
Дополнительно в комплект поставки входит наклейка с логотипом компании-производителя и инструкция по установке кулера на память.
Охладитель представляет собой стальную рамку с двумя установленными 50-мм вентиляторами, скорость вращения которых составляет около 3500 об/мин.
Аналогичной системой комплектовались рассмотренные ранее наборы F3-16000CL9D-4GBFLS и F3-16000CL7D-4GBFLS серии Flare. Учитывая невысокий нагрев современной памяти даже при разгоне, подобный аксессуар явное излишество.
Внешне модули выглядят очень эффектно, что характерно для серии TridentX.
Их особенностью можно назвать красные гребешки, которыми заканчиваются черные радиаторы.
В профиль же они сильно напоминает трезубец, от чего и пошло название серии.
К сожалению, ставить модули с гребешками не удобно, они острые и очень высокие, из-за чего линейные размеры памяти вырастают до 54,5 мм. Но они без проблем снимаются, достаточно по краям открутить пару винтов. Правда, без них все равно планки получаются высокими (40 мм), что создаст проблемы с совместимостью с некоторыми процессорными охладителями.
Разобрав радиатор, видим микросхемы H5TQ2G83CFR-PBC производства Hynix, продукция которой очень популярна среди производителей емкой памяти для энтузиастов.
Для повышения стабильности работы на высоких частотах в печатных платах используется восьмислойный текстолит.
Каждая планка набрана шестнадцатью микросхемами общим объемом 4 ГБ. Рабочая частота составляет 2666 МГц при таймингах 11-13-13-35-2T и напряжении 1,65 В. Параметр Command Rate в явном виде на этикетке не указан — придется его выставить либо вручную, либо воспользовавшись профилем XMP, который, кстати, полностью установит все необходимые параметры.
В SPD модулей прописаны шесть стандартных профилей, отвечающих требованиям JEDEC, и два XMP, отличающиеся небольшими корректировками второстепенных задержек.
Тестовая конфигурация
Память разгонялась на системе следующей конфигурации:
- процессор: Intel Core i5-3570К (3,4 ГГц);
- материнская плата: ASUS Maximus V Extreme (Intel Z77 Express);
- видеокарта: Inno3D GeForce GTX 560 Ti;
- кулер: Prolimatech Megahalems;
- накопитель: Kingston SH100S3B/120G (120 ГБ, SATA 6Gb/s);
- блок питания: Seasonic SS-600HM (600 Вт).
Разгон памяти на платформе LGA1155 отличается наличием для неё определённых множителей. А небольшой разгон по BCLK (обычно не превышающий 106–107 МГц) ограничивает возможность свободного изменения частоты памяти. Напомним, что именно процессоры Ivy Bridge позволяют добиться самой высокой на сегодняшний день частоты работы оперативной памяти на этой платформе. Неоднократно энтузиастами уже был доказан тот факт, что разгон памяти сильно зависит ещё и от того, насколько удачный попался экземпляр процессора. Важно и охлаждение центрального процессора. В нашем тестировании используется серийный процессор Intel Core i5 3570K с разгонным потенциалом чуть выше среднего, поэтому результаты будут актуальны для большинства пользователей с аналогичными процессорами.
Разгонный потенциал выяснялся с четырьмя наборами таймингов, актуальными для памяти DDR3 на базе чипов Hynix: 8-10-9-28, 9-11-10-28, 10-12-11-28 и 11-13-12-30 с Command Rate 1T. Второстепенные задержки не изменялись и были в режиме Auto. Напряжение питания модулей составляло 1,65 и 1,75 В, «системного агента» для частоты свыше 2200 МГц поднималось до 1,15 В, для контроллера памяти — до 1,25 В для частот выше 2400 МГц.
Результаты разгона
С Command Rate 1T и небольшой корректировкой таймингов рассматриваемый комплект заработал на частоте 2692 МГц. Увеличение задержек или напряжения на потенциал никак не повлияло, что вполне может объяснить скромными возможными встроенного контроллера памяти нашего процессора. Если тайминги снизить, то результат по сравнению с побывавшими у нас ранее комплектами впечатляющий. При «восьмерке» планки заработали на 2100 МГц, что было доступно с другими 8 ГБ наборами памяти только после поднятия напряжения питания. Шаг роста частоты после повышения задержек практически не изменился, но отметим вялое реагирование на увеличение напряжения до 1,75 В — 50 МГц крайне мало, хотя результат все равно очень хороший.
Выводы
Благодаря хорошему потенциалу комплект памяти G.Skill F3-2666C11D-8GTXD можно назвать одним из лучших на рынке. Вполне вероятно, что с процессорами Haswell результаты только вырастут. Да и для любой другой платформы этот набор вряд ли станет сдерживающим фактором при разгоне.
С другой стороны, его стоимость в 1,5–2 раза выше более распространенных 2400-мегагерцовых наборов, не говоря уже о менее скоростной памяти. Но в цену включен неплохой охладитель, который вполне может пригодиться при разгоне с повышением напряжения питания. В любом случае, у пользователя всегда есть выбор, либо попытать счастья с доступными решениями, либо же получить гарантированный результат, приобретя высокочастотную память.
Оборудование для тестирования было предоставлено следующими компаниями:
- ASUS – материнская плата ASUS Maximus V Extreme;
- G.Skill — комплект памяти G.Skill F3-2666C11D-8GTXD;
- Inno3D — видеокарта Inno3D GeForce GTX 560 Ti;
- Kingston — Kingston SH100S3B/120G;
- Syntex — блок питания Seasonic SS-600HM.