В прошлом месяце AMD представила линейку ускорителей вычислений Insinct MI200. Впервые в этих устройствах компания использовала многочиповую компоновку GPU с двумя отдельными кристаллами.

Несколько дней назад был опубликован патент AMD, описывающий дополнительный кристалл, установленный поверх графического процессора. Чипмейкер называет его устройством ускоренной обработки (Accelerated Processing Device, APD) и предлагает его как способ расширения возможностей машинного обучения. APD будет содержать память и несколько блоков-ускорителей.

Непосредственная связь кристалла GPU дает преимущество за счет высокоскоростных соединений для передачи данных и команд. AMD отмечает, что часть памяти может быть настроена в качестве кэша или памяти с прямым доступом. В описании также говорится, что APD может содержать арифметико-логические блоки (ALU), сконфигурированные для выполнения операций умножения матриц, что ускорит работу машинного обучения.

Источник:
HotHardware

Как сообщает Tom’s Hardware, компания EVGA на днях выпустила обновление прошивки для видеокарт GeForce RTX 3080 Ti. Свежая версия увеличивает хешрейт при добыче Ethereum путём отмены скрытых ограничений мощности. Они активируются в периоды высокой нагрузки на память, что характерно для майнинговых вычислений.

Обновить микрокод можно с помощью программного обеспечения EVGA Precision X1. Один из владельцев отметил, что после установки прошивки на EVGA GeForce RTX 3080 Ti XC3 производительность карты выросла с 66 MH/s до 80 MH/s, то есть прирост составил 21%.

Теоретически можно попробовать установить микрокод на видеокарты других вендоров. Блогер Red Panda Mining успешно разблокировал производительность на Inno3D GeForce RTX 3080 Ti iChill X3 с помощью прошивки от EVGA XC3. Итоговый хешрейт составил 91MH/s. Однако следует помнить, что такие манипуляции могут привести к порче дорогостоящего устройства.

Впрочем, еще летом вышла программа NBMiner 39.0, позволяющая поднять максимальный хешрейт GPU до порога срабатывания «крипто-ограничителя». Эти алгоритмы вскоре были взяты на вооружение разработчиками других майнеров, позволяя разблокировать около 70% от теоретической производительности видеокарты.

На мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting 2021 компания Intel обозначила своё видение развития полупроводников до 2025 года и далее. Чипмейкер декларирует увеличение плотности межсоединений в упаковке более чем в 10 раз, улучшение плотности транзисторов на 30–50%, крупные прорывы в технологиях электропитания и памяти, а также новые концепции в физике полупроводников.

«В Intel никогда не прекращаются исследования и инновации, необходимые для продвижения закона Мура. Наша группа по исследованию компонентов делится ключевыми научными достижениями на IEDM 2021, предлагая революционные технологии обработки и упаковки для удовлетворения ненасытного спроса на мощные вычисления, от которых зависят наша отрасль и общество. Это результат неустанного труда наших лучших ученых и инженеров. Они продолжают оставаться в авангарде инноваций для развития закона Мура», — рассказал Роберт Чау (Robert Chau), старший научный сотрудник Intel и генеральный менеджер отдела исследований.

Одним из путей развития является технология трехмерной упаковки Foveros Direct, в том числе обеспечивающая размер контактных площадок менее 10 микрон. Она на порядок увеличивает плотность межсоединений для трехмерной компоновки кристаллов.

Еще одной перспективной разработкой является наложение нескольких транзисторов, знаменующее переход к эре пост-FinFET. Ожидается, что это улучшит масштабирование логики на 30-50% за счет кратного размещения большего количества транзисторов на квадратный миллиметр.

Intel уже разработала первые в мире переключатели питания на основе GaN с кремниевой структурой КМОП на 300-миллиметровой пластине. Они создают основу для процессоров, способных выдерживать более высокие напряжения и одновременно уменьшают количество необходимых вспомогательных компонентов. В области оперативной памяти идет тестирование FeRAM с задержками чтения/записи всего 2 нс.

Intel также прокладывает путь к продвижению закона Мура в эпоху ангстрем, показывая, как новые материалы толщиной всего в несколько атомов могут быть использованы для создания транзисторов. На IEDM 2021 Intel продемонстрировала первую в мире экспериментальную реализацию магнитоэлектрического спин-орбитального логического устройства (MESO) при комнатной температуре, которая показала потенциальную возможность изготовления нового типа транзистора на основе переключающих магнитов нанометрового размера.

Источник:
Videocardz

Lenovo ненароком подтвердила существование видеокарты AMD Radeon RX 6500 XT. На сайте компании был обновлен документ с характеристиками игровых ПК Legion T5.

В нем впервые фигурировала карта Radeon RX 6500 XT, но спустя некоторое время документ был удален. Как это обычно происходит, файл остался в Google Cache и был сохранен для дальнейшего использования.

К сожалению, Lenovo раскрывает только объём буфера GDDR6 в 4 ГБ и два видеовыхода: HDMI 2.1 и DisplayPort 1.4a. Прямым предшественником новинки является Radeon RX 5500, перечисленная в списке выше.

Из прошлых утечек мы знаем, что Radeon RX 6500 XT будет основана на кристалле AMD Navi 24. В его арсенале значатся 1024 потоковых процессора и 16 блоков Ray Accelerators. Шина памяти составляет 64 бит. Также не стоит забывать про буфер Infinity Cache объёмом 16 МБ.

Источник:
Videocardz