
Совместно с Toshiba над 32-нм техпроцессом работала команда NEC Electronics. Для достижения желаемого результата в сочетании с высокой конкурентоспособностью чипов зарубежные специалисты использовали улучшенную литографию с однократной экспозицией. Такой подход означает значительное уменьшение количества этапов производства по сравнению с двукратной экспозицией и позволяет снизить текущие расходы.
Среди прочего, инженеры Toshiba и NEC использовали материал с высоким значением диэлектрической постоянной. При этом металлические затворы формируются в первую очередь, а плотность их размещения составляет 3650 штук на кв. мм. Благодаря новой технологии ячейка SRAM-памяти является самой миниатюрной из изготавливаемых по 32-нм нормам и имеет площадь всего 0,124 кв. мкм.
Применив новый подход, корпорация Toshiba уменьшила расчетную себестоимость технологического процесса на 50% по сравнению с 45-нм нормами.
Источник:
X-bit Labs