Корейский гигант цифрового мира Samsung Electronics, давно и успешно занимающийся разработкой и выпуском модулей оперативной памяти, накануне объявил об успешных испытаниях микросхем DDR3 объемом в 4 Гбит. Таким образом, 16 чипов по 4 Гбит в составе двухсторонней линейки памяти позволяют выпускать 8-гигабайтные модули DDR3 для настольных компьютеров. Более того, трехканальный комплект «оперативки» для Core i7 может достигать суммарного объема в 24 ГБ!

Samsung сделала возможным выпуск 8 ГБ модулей памяти

Самые емкие на сегодняшний день чипы выпущены по 50-нм техпроцессу и, среди прочего, позволяют производить 16 ГБ регистровые модули DDR3 для серверов и компактные 8 ГБ планки SO-DIMM для ноутбуков. Разумеется, рыночный спрос на подобные изделия достигнет хотя бы нескольких процентов от общего числа продаж еще не скоро.

Номинальное напряжение новинок от Samsung составляет всего 1,35 В, что соответствует спецификациям стандарта DDR3L. Впрочем, для достижения высоких частот отдельные вендоры могут поднять вольтаж до 1,5 В и выше.


Источник:
techPowerUp!