Компания Hynix Semiconductor объявила о завершении разработки DRAM DDR3-памяти, выполненной по 40-нм нормам, плотностью 1 гигабит. Новые микросхемы, по заявлению производителя, полностью соответствуют стандарту DDR3 и в скором времени должны пройти сертификацию Intel.

Разработанные чипы имеют максимальную скорость передачи данных 2133 Мбит/с и способны работать в широком диапазоне напряжений питания. По сравнению с модулями, выпущенными по нынешней 50-нм технологии, производительность 40-нм гигабитных микросхем DDR3 удалось повысить на 50%. Такой благоприятный эффект связан не только с переходом на более тонкую технологию производства, но и с применением «трехмерных транзисторов», что позволило снизить токи утечки и уменьшить уровень энергопотребления.

Hynix начет производить 40-нм DDR3-модули в третьем квартале 2009 года

Hynix планирует не ограничивать область применения своей разработки модулями оперативной памяти для ПК, а использовать их также в производстве DRAM-продуктов для мобильных устройств и графических адаптеров. Массовое производство 40-нм памяти начнется в третьем квартале. В Hynix надеются, что во второй половине 2009 года модули DDR3 DRAM будут занимать лидирующие позиции на рынке, и компании удастся собрать неплохую прибыль.


Источник:
Digitimes