Создание таких планок стало возможным благодаря применению прогрессивного 50-нм техпроцесса. Чипы памяти емкостью 16 Гбит расположены по обе стороны печатной платы, всего их насчитывается восемнадцать штук. Рабочее напряжение микросхем составляет 1,35 В, что на 20% ниже стандартного значения.
Кстати, новые чипы памяти будут выделять гораздо меньше тепла, чем те, которые используются в планках по 8 ГБ. При построении серверов такая особенность продукции Samsung будет весьма полезна, ведь модулей может быть установлено несколько штук.

Когда именно начнется массовое производство оперативной памяти RDIMM DDR3 32 ГБ, в Samsung не уточняют, но очевидно, что спрос на подобные изделия в ближайшие годы будет только расти.
Источник:
TCMagazine