Компания Samsung запускает в массовое производство анонсированные в начале текущего года 2-гигабитные микросхемы Green DDR3 DRAM. Основанные на 30-нм техпроцессе новинки призваны удовлетворить потребность в быстрой и энергоэффективной памяти, особенно актуальной для нового поколения серверов, оптимизированных для «облачных» вычислений и виртуализации.

Чипы Samsung DDR3, использующие 30-нм технологию, могут работать с частотой 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В; повышение напряжения до 1,5 В позволит «выжать» из них 2133 МГц. Предполагается, что новинки будут задействованы в настольных и портативных ПК, а также серверах и мобильных устройствах.

Память Samsung 2 ГБ Green DDR3 DRAM

«Мы видим резкий рост спроса на память стандарта DDR3 и идем навстречу потребителю, своевременно представляя 30-нм решения Green DDR3», – пояснил Су Ин Чо (Soo-In Cho), руководитель подразделения Memory Division в составе Samsung Electronics. «Изготовленная с использованием 30-нанометрового техпроцесса память DDR3 DRAM принесет пользователям большое удовлетворение, показывая исключительно высокую производительность и сниженное энергопотребление в составе ПК и серверов, основанных на базе современных многоядерных процессоров».

Не собираясь долго почивать на лаврах, Samsung планирует усовершенствовать 30-нм технологию и уже к концу этого года приступить к производству 4-гигабитных чипов памяти DDR3 DRAM на ее базе.


Источник:
TCMagazine