Samsung в очередной раз творит историю, став первым производителем оперативной памяти, который представил модули DDR4. ОЗУ нового поколения выполнена по 30-нм техпроцессу, работает на частоте 2133 МГц и напряжении питания 1,2 В, что в сочетании с технологией Pseudo Open Drain (POD) позволило добиться существенного снижения энергопотребления. Samsung DDR4 требует вдвое меньшей силы тока во время считывания и записи данных, по сравнению с DDR3.

Оперативная память Samsung DDR4

«Samsung является активным сторонником «зеленых» технологий и ежегодно повышает производительность энергоэкономичной памяти», – сказал Донг Су Джун (Dong Soo Jun), начальник отдела оперативной памяти корпорации Samsung Electronics. «DDR4 станет новым этапом развития нашей энергоэффективной стратегии, особенно после того, как мы выпустим 4-гигабитные чипы DDR4, созданные с применением технологий следующего поколения».

Samsung не высказала своего мнения относительно сроков внедрения стандарта DDR4, ведь многие другие производители микросхем памяти полностью довольны спросом на DDR3. Рабочие частоты модулей DDR4 ожидаются в диапазоне от 1600 МГц до 3200 МГц, однако вне официальных стандартов JEDEC планка будет поднята еще выше.


Источник:
TCMagazine