Примерно неделю назад Intel и Micron сообщили о своих достижениях в области производства 20-нм чипов флеш-памяти. И вот накануне подобный анонс состоялся и со стороны японской корпорации Toshiba. В отличие от конкурентов ей удалось наладить выпуск кристаллов NAND-памяти, используя более тонкую 19-нм технологическую норму.

Toshiba

Первым изделием Toshiba на новом техпроцессе стал чип флеш-памяти на основе многоуровневых ячеек (MLC), использующий двухбитовую организацию и обладающий объемом 64 Гбит (8 ГБ). Упаковка 16 таких микрочипов в один корпус позволяет создать накопитель емкостью 128 ГБ.

Новая память Toshiba поддерживает технологию Toggle DDR2.0, главная задача которой сводится к обеспечению повышенной скорости передачи данных. Поставки первых образцов 64-гигабитных чипов должны стартовать в конце апреля, а массовый выпуск запланирован на третий квартал 2011 г. В этот же период ожидается появление памяти с трехбитовыми ячейками. Что касается конкурента в лице IM Flash Technologies (совместное предприятие Intel и Micron), то он готовится начать серийное производство 20-нм микросхем NAND флеш-памяти во втором полугодии.


Источник:
Toshiba