В феврале этого года мы писали о том, что один из ведущих разработчиков микросхем оперативной памяти Micron анонсировал прорыв в области ОЗУ – Hybrid Memory Cube (HMC). Это многослойный чип оперативной памяти со встроенным контроллером, высокоскоростной шиной и вертикальным электрическим соединением TSV (through-silicon via).

Micron Hybrid Memory Cube

Согласно расчетам инженеров Micron, внедрение HMC позволит на 70% снизить энергопотребление оперативной памяти относительно нынешних планок DDR3 и в 10-15 раз повысить скорость (128 ГБ/с у прототипов). Технология, охарактеризованная как «прорыв десятилетия» поначалу найдет применение в hi-end серверах и, возможно, через несколько лет станет основной для потребительских компьютерных систем.

Как сообщает VR-Zone, разработка Micron заинтересовала старейшего производителя микроэлектроники IBM, и стороны достигли соглашения о выпуске чипов Hybrid Memory Cube по 32-нанометровому high-k техпроцессу IBM. Опытные, а затем и серийные образцы поручено изготавливать фабрике IBM в городке с забавным названием East Fishkill, штат Нью-Йорк.