На конференции ISSCC 2012 в г. Сан-Франциско известные производители микросхем оперативной памяти Samsung и Hynix показали присутствующим образцы чипов DDR4, выполненных, соответственно, по 30-нм и 38-нм техпроцессу. Samsung подготовила память с эффективной частотой 2133 МГц и рабочим напряжением 1,2 В. В арсенале Hynix оказался чип DDR4-2400 с тем же напряжением 1,2 В. Массовое производство микросхем DDR4 начнется уже в этом году по современной 20-нанометровой технологии. Разъемы для установки памяти DDR3 и DDR4, естественно, будут отличаться.

DDR4

Согласно роадмапу организации JEDEC, планки DDR4 сперва найдут применение в серверном сегменте, где всегда приветствуются энергоэффективные инновации. Один модуль DDR4 с контролем ошибок (ECC) будет иметь объем до 32 ГБ. Частота памяти для настольных систем постепенно вырастет с 2133 МГц до 3200 МГц, что впоследствии будет закреплено стандартами JEDEC. Серверы ограничатся использованием планок DDR4-2400.

Массовое применение DDR4 в высокопроизводительных десктопах начнется в середине 2014 г. Очевидно, первыми внедрением DDR4 займутся инженеры Intel, как это было и с DDR3, и с DDR2.


Источник:
TechEye