Что касается корпорации Samsung, то ее специалисты приступили к производству экспериментальных образцов регистровой памяти DDR4 в виде планок объемом 16 ГБ. Семплы разрабатывались в тесном сотрудничестве с крупнейшими игроками процессорного и серверного сегментов рынка. Опытные образцы изготавливаются по 30-нм техпроцессу, в свою очередь, серийные продукты на основе DDR4 будут выпускаться по более тонкой 20-нм технологии.
(+)
К 2013 году Samsung обещает увеличить производительность нового типа ОЗУ до 3200 Мбит/с. Штатное напряжение модулей составит 1,2 В. В планах разработчика также состоит увеличение их объема до 32 ГБ уже в следующем году.
Параллельно Samsung сообщает, что финальная версия стандарта DDR4, скорее всего, будет утверждена советом JEDEC в августе месяце.
Источник:
techPowerUp!