Кроме твердотельных накопителей M500 для потребительского рынка, на выставке CES 2013 были замечены опытные образцы модулей памяти Crucial DDR4. Представленные семплы построены с использованием 4-гигабитных микросхем ОЗУ, выполненных по 30-нм техпроцессу. В перспективе Micron/Crucial планирует предложить клиентам память DDR4 в нескольких форм-факторах: RDIMM, LRDIMM, SO-DIMM и UDIMM (стандартные и ECC). Коммерческие поставки оперативной памяти DDR четвертого поколения начнутся в конце 2013 года — об этом пресс-служба Crucial сообщила официально.

Crucial DDR4

В числе преимуществ DDR4 традиционно называются малое рабочее напряжение (1,2 В) и повышенная скорость передачи данных. Модули ОЗУ нового типа будут иметь 284 контакта и толщину текстолита не менее 1,2 мм. Планки DDR4 форм-фактора SO-DIMM будут оснащены 256 контактами.

По слухам, первыми процессорами, которые получат встроенный контроллер оперативной памяти DDR4, станут: Intel Haswell-EP (для серверов), Intel Broadwell и AMD Steamroller (для серверов).


Источник:
TechPowerUp