Совместная работа инженеров Micron и Samsung принесла свои плоды в виде утверждения стандарта Hybrid Memory Cube (HMC), который даст возможность выпускать многослойные чипы оперативной памяти с высочайшей производительностью и малым энергопотреблением (экономия около 70% по сравнению с DDR3). Инициатором разработки HMC была американская компания Micron, озвучившая свои намерения по внедрению памяти нового типа в начале 2011 года.

Hybrid Memory Cube

Финальная спецификация Hybrid Memory Cube находится в открытом доступе (PDF). В соответствии с ней многослойные чипы будут иметь встроенные алгоритмы обнаружения и коррекции ошибок (ECC), и обнаружения сбоев в работе ячеек памяти, а также функцию определения ошибок (CRC) для пакетов данных с автоматическим повторением. Скорость передачи данных зависит в том числе от длины соединений между физическими слоями. При малом расстоянии между слоями скорость составляет 10, 12,5 и 15 Гбит/с (с перспективой увеличения до 28 Гбит/с через несколько лет), при сверхмалом — 10 и 15 Гбит/с. Спецификацию HMC версии 1.0 планируется обновить в первом квартале 2014 года.