Американский разработчик Crossbar объявил о выходе опытных образцов памяти RRAM (resistive random access memory), которая также известна как ReRAM и с 2012 года рассматривается в качестве альтернативы традиционным типам энергонезависимой памяти. Принцип работы RRAM заключается в создании сопротивления, а не в непосредственном хранении заряда. Под воздействием электрического тока меняется сопротивление материала, и это считывается как единица или ноль. Задача массового производства RRAM неразрывно связана с поиском соответствующего материала, способного стабильно реагировать на изменение сопротивления ячеек. Теоретически RRAM будет намного экономичнее, долговечнее и компактнее флеш-памяти.

Crossbar RRAM

На данном этапе Crossbar ориентируется на выпуск RRAM для встраиваемых микроконтроллеров. Разработкой американцев уже заинтересовались такие киты рынка цифровых технологий, как SK Hynix, Panasonic и HP. В долгосрочной перспективе RRAM способна дополнить или даже заменить привычные модули оперативной памяти. Потребность в замене NAND флеш-памяти назрела давно, поскольку с каждым годом производителям становится все труднее переходить на более «тонкие» технологические нормы, а спрос на емкие накопители будет только расти. Предположительно, кремниевые кристаллы достигнут 7-нм техпроцесса, и на этом эра кремния в микроэлектронике завершится (хотя Intel работает и над 5-нм нормой).

Crossbar RRAM

Еще одно преимущество Crossbar RRAM — возможность изготовления многослойных чипов большой емкости. Память нового типа найдет широкое коммерческое применение в 2017–18 гг.

Crossbar RRAM


Источник:
ExtremeTech