Компании AMD и SK Hynix объявили о сотрудничестве в области разработки многослойной памяти HBM (аббревиатура расшифровывается как high-bandwidth memory — память с высокой пропускной способностью). Предприятия, очевидно, преследуют те же цели, что и Micron, занятая проектом Hybrid Memory Cube: получить быструю и энергоэффективную память, к тому же занимающую минимум места на текстолите.

Память HBM

Advanced Micro Devices рассчитывает в будущем задействовать HBM для производства видеоускорителей и процессоров, а также компонентов систем, являющихся частью HPC-серверов и корпоративных сетей. Прогнозируется, что пропускная способность HBM достигнет 128 или даже 256 ГБ/с

Согласно расчетам инженеров AMD и SK Hynix, новый подход позволит на 30% снизить энергопотребление и в 37 раз уменьшить площадь чипов по сравнению с ОЗУ типа DDR4. Первые образцы HBM уже увидели свет, а утверждение спецификации нового типа энергозависимой памяти советом JEDEC состоится в обозримом будущем.


Источник:
Electroiq