Видеокарты AMD Volcanic Islands 2.0 будут использовать память HBM

Участник конференции Overclock.net под ником Seronx опубликовал несколько слайдов, иллюстрирующих преимущества и особенности внедрения технологии многослойной памяти AMD/SK Hynix HBM (high-bandwidth memory), которая является более экономичной и производительной альтернативой GDDR5. В чипах HBM используются вертикальные соединения между слоями (trough silicon via), благодаря чему одна микросхема может иметь объем, в четыре (HBM 1.0) или восемь (HBM 2.0) раз превышающий объем микросхем GDDR5. Пропускная способность также вырастет в несколько раз.


Продвигаемая AMD, SK Hynix, GlobalFoundries, Open Silicon и Amkor, технология HBM должна быть впервые воплощена в графических решениях Volcanic Islands 2.0 (GlobalFoundries, 28-нм). По мнению Seronx, это произойдет в четвертом квартале с выходом бюджетных и среднеценовых моделей Radeon Rx 3xx. Затем, во втором квартале 2015-го увидит свет новый одночиповый флагман R9 3xx.

Переход на 20-нм технологическую норму GlobalFoundries якобы состоится не раньше IV квартала 2015 г. — в этот период будут анонсированы младшие и среднеуровневые карты Pirate Islands 1.0 (Radeon Rx 4xx), затем, еще через полгода придет черед топового Radeon R9 4xx.

В IV квартале 2016-го произойдет переход на 14-нм техпроцесс GlobalFoundries и память HBM 2.0. Дебютные модели Pirate Islands 2.0 (Radeon Rx 5xx) будут не самыми мощными в линейке — флагмана Radeon R9 5xx придется ждать до второго квартала 2017 г.