Samsung представила линейку SSD 850 Pro на основе флеш-памяти 3D V-NAND

Samsung Electronics, подразделение всемирно известной южнокорейской корпорации, представило первую линейку твердотельных накопителей на основе «вертикальной» флеш-памяти 3D MLC V-NAND — 850 Pro. Новые микросхемы изготавливаются по 40-нм техпроцессу, модернизированному с учетом необходимости выпуска 32-слойных (!) кристаллов. Один такой миниатюрный кристалл имеет объем 86 Гбит (10,75 ГБ), а максимальный объем одного чипа может достигать 1 Тбит (128 ГБ).


SSD Samsung 850 Pro будут доступны в вариантах 128, 256, 512 ГБ и 1 ТБ. В каждом из устройств предусмотрена резервная область в размере 7,6% от «чистого» объема, который соответственно равен 129, 258, 516 и 1032 ГиБ. Срок официальной гарантии на новые накопители составляет 10 лет. Максимальный объем записываемых данных в течение этого периода — 150 ТБ.


Новинки оснащены интерфейсом SATA 6 Гбит/с и трехъядерным контроллером Samsung MEX, который ранее был задействован в SSD 840 Evo. Производительность устройств серии 850 Pro достигает 100 тыс. IOPS при чтении и 90 тыс. при записи. Продажи новой линейки накопителей от Samsung Electronics стартуют 21 июля.



Источники:
TechPowerUp
AnandTech