Группа специалистов частного университета Райса (г. Хьюстон, США) во главе с химиком Джеймсом Туром (James Tour) разработала новый тип памяти, которая, по мнению ученых, способна в течение нескольких лет заменить традиционные флеш-чипы. Изобретение носит название RRAM — резистивное запоминающее устройство с произвольным доступом.

память RRAM

Ячейки памяти RRAM способны хранить до 9 бит данных, за счет чего в кристалле размером с почтовую марку можно будет записывать 1 ТБ информации (в разы больше, нежели в традиционных микросхемах NAND Flash). При этом количество циклов перезаписи вырастет более чем в 100 раз, поскольку RRAM формирует сигналы «0» и «1» не с помощью электрического заряда, а путем изменения величины сопротивления.

память RRAM

Пористая структура материала (включающего оксид кремния, нанокристаллический кремний, золото и платину) обуславливает скромные требования к подаваемому напряжению (менее 2 В). Также, в отличие от похожих разработок, RRAM может изготавливаться при комнатной температуре с использованием существующего оборудования.

Американские исследователи сообщают, что их проект заинтересовал ряд компаний, которые готовы приобрести соответствующую лицензию и наладить выпуск памяти RRAM.


Источник:
Rice News