Аналитическая организация IC Insights собрала воедино всю самую свежую информацию от поставщиков DRAM и NAND-флеш памяти и представила дорожную карту перехода к более тонким производственным нормам. В середине 2014 года все компании выпускают чипы NAND Flash по нормам менее 20 нм, а для микросхем типа DRAM — около 30 нм.

Судя по нижеприведенному графику, к 2017 году минимальный размер 2D NAND Flash будет составлять 10—12 нм и менее 20 нм — для памяти типа DRAM. Впрочем, эти сведения, как отмечает IC Insights, носят лишь аналитический и предварительный характер.

Сроки покорения норм техпроцесса для NAND Flash и DRAM-памяти

Отдельного упоминания стоят 3D-микросхемы. Как видим, компания Samsung задержалась с переводом на более тонкий техпроцесс 2D-чипов, но при этом смогла первой наладить массовое производство многослойной памяти и даже выпустить первый в мире продукт на основе V-NAND. По темпам освоения «объемной» памяти SK Hynix, IM Flash (Intel/Micron) и Toshiba идут вслед за Samsung.

По части микросхем для оперативной памяти график менее информативен. Вероятнее всего, в недалеком будущем в ее производстве начнется использование технологии Hybrid Memory Cube (HBM), что значительно увеличит пропускную способность и приблизительно на 70% снизит энергопотребление чипов памяти.


Источник:
EETimes