Samsung Electronics анонсировала начало массового производства 8 Гбит микросхем и 32 ГБ модулей оперативной памяти RDIMM DDR4 по 20-нм технологическому процессу. Новое ОЗУ найдет применение в высокопроизводительных серверах: обеспечивается передача данных со скоростью до 2400 Мбит/с, что превосходит возможности планок RDIMM DDR3-1866. Номинальное напряжение составляет 1,2 В. Кроме прочего, вендор отмечает улучшение алгоритма коррекции ошибок, способствующего повышению надежности подсистемы памяти современных серверов.
Ранее южнокорейский гигант приступил к выпуску 4 Гбит чипов памяти DDR3 для ПК и 6 Гбит LPDDR3 для мобильных устройств, которые также объединены принадлежностью к поколению 20-нм микросхем.
Увеличение плотности до 8 Гбит позволит Samsung наладить производство модулей оперативной памяти максимальным объемом 128 ГБ, используя 3D-технологию TSV (through-silicon via).
Источник:
TechPowerUp
