Долгожданный переход ядер дискретных видеокарт AMD и Nvidia с 28-нм на 20-нм технологическую норму, похоже, не состоится. С учетом неудовлетворительных результатов (высокие токи утечки, большой процент брака), показанных семплами 20-нм GPU, калифорнийские разработчики и их подрядчики решили сосредоточиться на создании 16-нм и 14-нм чипов на основе FinFET-техпроцесса. Последний обеспечивает умеренное энергопотребление и тепловыделение, малые токи утечки и относительно высокие рабочие частоты.

Кремниевые пластины

Как мы уже отмечали ранее, будущие ядра Radeon могут выпускаться на мощностях GlobalFoundries (с применением технологий Samsung), а Nvidia обратится непосредственно к Samsung или TSMC. Тайваньцы существенно отстают в темпах освоения FinFET-норм и получат заказы лишь в случае, если предоставят Nvidia очень выгодные условия.

Как стало известно в конце прошлой недели, руководство TSMC приняло решение выделить 500 млрд тайваньских долларов (около 15,84 млрд долларов США) на модернизацию производственных линий. Анонсированные инвестиции весьма внушительны. Они, в частности, более чем вдвое превысят объем вложений Intel в израильский Fab 28 с 2006 года. Позволят ли эти вливания успешно конкурировать с Samsung, покажет время.