В настоящее время производители оверклокерской оперативной памяти предлагают немало комплектов ОЗУ типа DDR4, способных работать на эффективной частоте 3000 МГц и выше. Однако производители микросхем (Micron, Samsung, SK Hynix) продают заказчикам только чипы и модули памяти DDR4-2133 и DDR4-2400, а вендоры вроде G.Skill, Corsair и Kingston (HyperX) на свой страх и риск экспериментируют с заводским разгоном.
По данным издания KitGuru, во втором квартале SK Hynix предложит компаниям-клиентам память DDR4-2666 с задержками 17-17-17 и номинальным напряжением 1,2 В. Чипы емкостью 4 Гбит (8x 512Мбит, 16x 256Мбит) выйдут в вариантах с 78 и 96 BGA-контактами.
На базе планок и микросхем SK Hynix DDR4-2666 будут представлены hi-end комплекты DDR4-3000, DDR4-3200 и, возможно, еще более быстрые решения. Главным образом они будут востребованы покупателями материнских плат LGA1151 и процессоров Intel Skylake, поскольку платформа Haswell-E/LGA2011-3 использует далеко не весь потенциал оверклокерской памяти DDR4.
SK Hynix готовит память DDR4-2666 для систем на базе CPU Intel Skylake
13.02.2015 15:48