
По данным издания KitGuru, во втором квартале SK Hynix предложит компаниям-клиентам память DDR4-2666 с задержками 17-17-17 и номинальным напряжением 1,2 В. Чипы емкостью 4 Гбит (8x 512Мбит, 16x 256Мбит) выйдут в вариантах с 78 и 96 BGA-контактами.
На базе планок и микросхем SK Hynix DDR4-2666 будут представлены hi-end комплекты DDR4-3000, DDR4-3200 и, возможно, еще более быстрые решения. Главным образом они будут востребованы покупателями материнских плат LGA1151 и процессоров Intel Skylake, поскольку платформа Haswell-E/LGA2011-3 использует далеко не весь потенциал оверклокерской памяти DDR4.