Инженеры Intel и Micron в последние годы усердно трудятся над разработкой нового вида флеш-памяти под названием 3D XPoint. По словам представителей обеих компаний, SSD-накопители на основе новых микросхем смогут предложить схожее с DRAM быстродействие, сохранив при этом энергонезависимость. На днях веб-ресурс Benchlife опубликовал технические характеристики первого «системного ускорителя» Intel 8000p, созданного с применением нового вида памяти и являющегося частью «семейства» Stony Beach. По планам чипмейкера, такого рода устройства будут выступать в качестве буфера для более медленных твердотельных накопителей.
Первые потребительские «системные ускорители» Intel 8000p будут изначально доступны в вариантах объёмом 16 и 32 ГБ. Они будут выполнены в форм-факторе M.2 и использовать две линии интерфейса PCI Express 3.0. Максимальные скорости последовательного чтения/записи составляют 1400/300 МБ/с у младшей модели и 1600/500 МБ/с у старшей. Производительность при работе с блоками объёмом 4КБ достигает 300 тыс. IOPS при чтении и 120 тыс. операций при записи.
Судя по данным характеристикам, производительность «системных ускорителей» Intel 8000p находится на уровне современных SSD с интерфейсом PCI-E. К примеру, скорость последовательного чтения у накопителей линейки Samsung 960 Pro, использующих четыре линии PCI Express 3.0, достигает 3500 МБ/с при уровне IOPS в 440 тыс. операций. Впрочем, не стоит судить только по «бумажным» характеристикам и как новинки поведут себя в реальном мире ещё предстоит выяснить после их выхода. Что касается «полноценных» твердотельных накопителей на базе Intel 3D XPoint, то они будут представлены ближе к концу года.