Samsung Electronics объявила о начале массового производства полупроводниковых микросхем по 10-нанометровым FinFET технологическим нормам. По словам представителей компании, чипы, изготавливаемые согласно новому техпроцессу, на 27% более производительны и обладают на 40% улучшенной энергоэффективностью относительно своих 14-нм предшественников.
Сообщается, что в настоящий момент южнокорейский гигант наладил производство по так называемому 10-нм LPE-техпроцессу, пригодному для чипов с низким энергопотреблением (вроде мобильных SoC на архитектуре ARM). При этом наладить производство согласно 10-нм LPP-техпроцессу, пригодному для мощных центральных или графических процессоров, в Samsung планируют в следующем году.
Одними из первых чипов, изготовленных на новой производственной линии Samsung Electronics станут системы-на-чипе Qualcomm Snapdragon 830. Ожидается, что данные SoC будут основой для смартфонов и планшетов линейки Galaxy.
Источник:
EETimes