На недавней аналитической конференции в городе Скоттсдейл (Аризона, США), руководители американской компании Micron отчитались о текущем положении дел и поделились планами на будущее.
Ведутся работы над новой, 64-слойной памятью 3D NAND второго поколения. Её применение позволит значительно повысить ёмкость чипов и сократить стоимость на бит (для TLC) по меньшей мере на 30%. По слухам, будут доступны микросхемы TLC ёмкостью 768 Гбит, и MLC — 512 Гбит. Для 32-слойной 3D NAND эти цифры составляют 384 Гбит и 256 Гбит соответственно. На данном этапе уже доступны образцы новых чипов, предназначенные для тестирования, однако массовое производство ожидается не раньше декабря. Более того, разрабатывается 3D NAND третьего поколения, появление которой ожидается во второй половине года, а также флеш-память QLC NAND, позволяющая хранить четыре бита в одной ячейке.
В этом году начнется производство памяти DRAM под кодовым именем «1Xnm», по технологическим нормам менее 20 нм. Это позволит сократить стоимость конечных продуктов более чем на 20%, за счет увеличения выхода микросхем с каждой полупроводниковой пластины. Ведутся разработки следующих техпроцессов с кодовыми именами «1Ynm» и «1Znm», причем производство чипов 1Y должно начаться ближе к осени.
На конференции сообщили подробности о новом поколении памяти GDDR, которая используется в видеокартах и игровых консолях. GDDR6 с частотами до 15 ГГц собираются представить в начале 2018 года. Напомним, Micron является эксклюзивным производителем памяти GDDR5X, которая является переходным типом между GDDR5 и GDDR6.
Ну и напоследок, глава Micron, Марк Дуркан (Mark Durcan), после 30-летней карьеры в компании, объявил о желании покинуть пост. Тем не менее, на время поисков преемника, Марк продолжит исполнять свои обязанности.
Источники:
Anandtech
ComputerBase