Несмотря на впечатляющие технические характеристики оперативной памяти с многослойной компоновкой HBM и HBM2, вследствие дороговизны производства в настоящее время она нашла применение исключительно в графических ускорителях high-end уровня, вроде Nvidia Tesla P100 или Radeon Fury X. В то время как остальные видеоадаптеры используют более традиционную память стандарта GDDR5 или GDDR5X. И хотя последний был утверждён комитетом JEDEC только в январе прошлого года, известный корейский производитель микросхем DRAM и NAND, компания SK Hynix уже практически готова к началу производства чипов видео-ОЗУ следующего поколения.
Как сообщается в пресс-релизе на официальном сайте SK Hynix, в начале следующего года южнокорейский чипмейкер планирует запустить массовое производство микросхем памяти GDDR6 объёмом 8 Гбит (1 ГБ). Новые чипы будут изготавливаться по технологии класса «2Znm» (20-нанометровые технические нормы) и характеризуются скоростью передачи данных в 16 Гбит/с на контакт.
Благодаря применению микросхем GDDR6 пропускную способность памяти (ПСП) при использовании 384-разрядной шины удастся увеличить до 768 Гбайт/с. Для сравнения, видеоускоритель Nvidia Titan Xp, располагающий 12 гигабайтами GDDR5X с эффективной частотой 11,4 ГГц, обладает ПСП около 548 ГБ/с.
К сильным сторонам нового стандарта также стоит отнести сниженное на 10% рабочее напряжение. По мнению руководства SK Hynix, помимо высокопроизводительных графических ускорителей память GDDR6 также найдёт применение в системах «умных» автомобилей, виртуальной реальности, искусственном интеллекте и других отраслях.