Южнокорейский гигант Samsung Electronics объявил о наращивании объёмов производства многослойных микросхем памяти HBM2 объёмом 8 Гбайт. Данные чипы востребованы во многих отраслях и устройствах, включая искусственный интеллект, высокопроизводительные корпоративные сервера, а также high-end видеоадаптеры.
Одна микросхема Samsung HBM2 состоит из восьми 8-гигабитных кремниевых слоёв и одного буферного слоя, объединённых при помощи вертикальных соединений through-silicon-via (TSV). Каждый слой содержит свыше пяти тысяч таких соединений, вследствие чего их суммарное число для одного 8-гигабайтного стека составляет более 40 тыс. штук.
Каждый чип HBM2 обеспечивает пропускную способность (ПСП) около 256 Гбайт/с. Четыре такие микросхемы суммарным объёмом 32 ГБ смогут обеспечить ПСП на уровне 1 ТБ/с. Как отмечают представители южнокорейского гиганта, учитывая растущий спрос, к концу текущего года более половины от всех произведённых микросхем HBM2 составят 8-гигабайтные чипы.
Источник:
Samsung