Американская компания Rambus в своих тестовых лабораториях занимается разработкой памяти DRAM нового поколения, которая должна прийти на смену текущему стандарту DDR4.
Предполагается, что модули DDR5 получат удвоенные пропускную способность, объём и улучшенную энергоэффективность по сравнению с DDR4. Комитет стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC пока не утвердил окончательную спецификацию нового типа памяти, но эксперты говорят, что номинальные частоты DDR5 будут начинаться от 4800 МГц. Это в два раза больше чем у базовых чипов DDR4-2133 и всё равно выше, чем у самых быстрых DDR4-4600 которые сейчас представлены на рынке. Пропускная способность памяти возрастет до 51 Гбит/с, а напряжение питания снизится до 1,1 В.
Вице-президент по маркетингу Rambus, Хемант Дхулла (Hemant Dhulla) сообщил журналистам, что компания уже имеет на руках первые функциональные модули DDR5 DIMM и планирует начать массовое производство в 2019 году.
Источник:
EETimes