Корпорация Samsung Electronics поделилась планами представить на CES 2018 свою первую микросхему памяти GDDR6, предназначенную для использования в графических ускорителях следующего поколения. Новый чип носит маркировку K4ZAF325BM-HC14, характеризуется ёмкостью 16 Гбит (2 ГБ) и был удостоен награды «Лучшая инновация CES 2018» в своей категории.
Как отмечают представители Samsung, их память GDDR6 является «самой быстрой и наиболее энергоэффективной DRAM для графических решений следующего поколения». Упомянутая двухгигабайтная микросхема обеспечивает скорость передачи данных в 16 Гбит/с в расчёте на один вывод и работает с напряжением 1,35 В.
Использование микросхем GDDR6 в видеоускорителях с 256-разрядной шиной позволит увеличить пропускную способность памяти (ПСП) до 512 Гбайт/с или до 768 Гбайт/с в топовых адаптерах с 384-битной шиной памяти. Для сравнения, видеоускоритель Nvidia Titan Xp, располагающий 12 гигабайтами GDDR5X с эффективной частотой 11,4 ГГц, обладает ПСП около 548 ГБ/с.
К сожалению, в настоящее время неизвестно, когда именно южнокорейский гигант планирует запустить массовое производство новых микросхем. Вероятнее всего это случится не ранее первого квартала следующего года, ближе к анонсу первых видеокарт Nvidia GeForce GTX на базе архитектуры Volta. К слову, SK Hynix должна наладить производство 8-гигабитных (1 ГБ) чипов GDDR6 с пропускной способностью 12 и 14 Гбит/с до конца текущего года.