Корпорация Samsung на днях опубликовала подробные технические характеристики твердотельного накопителя SZ985 объёмом 800 Гбайт, созданного на основе флеш-памяти Z-NAND. Новинка в первую очередь предназначена для использования в дата-центрах, где она должна составить достойную конкуренцию устройствам Intel Optane, использующим память 3D XPoint.
Как отмечает южнокорейский гигант, в NVMe-накопителях SZ985 удалось не только достичь высоких скоростных показателей, но и в 5,5 раза снизить задержки доступа к данным по сравнению с распространёнными на рынке устройствами. Типичная задержка при случайном чтении составляет около 12-20 мкс, а при записи – 10 мкс. Для сравнения, у накопителей Intel DC P3700 с памятью MLC данные параметры равны 115 и 25 мкс соответственно, а у SSD «семейства» Intel Optane они в обоих случаях составляют 10 микросекунд.
В качестве канала передачи данных Samsung SZ985 использует четыре линии интерфейса PCI Express 3.0. Скорости последовательного чтения/записи достигают 3200 Мбайт/с, а уровень быстродействия при работе со случайными 4-килобайтными блоками составляет 750 тыс. IOPS при чтении и 170 тыс. операций при записи.
Что касается самой памяти Z-NAND, то она является близкой родственницей давно знакомой 3D V-NAND, использующейся в большинстве накопителей южнокорейского гиганта. Она так же представляет собой многослойную флеш-память, однако вместо двух (MLC) или трёх (TLC) битов информации в ячейке Z-NAND хранится всего один бит (SLC), что положительно сказывается на производительности и ресурсе. Подобно устройствам Intel Optane SSD DC P4800X, использующим память 3D XPoint, накопитель Samsung SZ985 рассчитан на 30 перезаписей в день (DPWD/Drive Writes Per Day), а период гарантийного обслуживания составляет пять лет.
Релиз NVMe-накопителя Samsung SZ985 запланирован на следующий год, примерная стоимость устройства пока не называется.
Источник:
Tom's Hardware