Компания Rambus в ходе очередного мероприятия для инвесторов поделилась предварительными спецификациями оперативной памяти типа HBM3 и DDR5, в работе над которыми участвуют многие лидеры индустрии. Микросхемы обеих стандартов будут изготавливаться согласно 7-нанометровым технологическим нормам и, учитывая, что в 2018 году будут освоено массовое производство чипов по 10-нм техпроцессу, появления новых типов памяти в потребительской электронике следует ожидать не ранее 2020 года.
Многослойная память HBM3 предложит вдвое большую пропускную способность по сравнению с нынешней HBM2. Новые чипы смогут работать на скоростях до 4 Гбит/с, что при наличии 1024-разрядной шины у одного стека памяти обеспечит пропускную способность в 512 ГБ/с. Для сравнения, две микросхемы HBM2, использующиеся в графических адаптерах Radeon RX Vega 64, характеризуются пропускной способностью около 484 ГБ/с.
Что касается памяти DDR5, то новые модули ОЗУ будут функционировать на эффективной частоте от 4800 до 6400 МГц. Отметим, что самые быстрые комплекты DDR4, доступные в продаже, способны работать на частотах до 4600 МГц с довольно высоким напряжением в 1,5 В (вместо стандартных 1,2 В), тогда как штатное напряжение планок DDR5 составит всего 1,1 В. К слову, ещё в сентябре Rambus сообщила об имеющихся в её лабораториях полностью функциональных модулях DDR5, объявив о планах начать их массовое производство в 2019 году.
Источники:
ComputerBase
WCCFTech