Корпорация Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в мире микросхем памяти DDR4 DRAM, изготавливаемых по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm) второго поколения. Чипы обладают емкостью 8 Гбит (1 ГБ) и предназначены для использования в широком спектре вычислительных систем.

Как утверждают представители компании, новые микросхемы памяти обеспечивают на 10% лучшую производительность и на 15% лучшую энергоэффективность по сравнению с 8-гигабитными чипами 10-нм класса первого поколения, при этом обладая меньшими размерами. Скорость передачи данных через один контакт у новых чипов составляет 3600 Мбит/с, тогда как у предшественников эта цифра не превышала 3200 Мбит/с. В итоге общее превосходство по показателю производительность на ватт способно достигать 30%. 

микросхемы DDR4 DRAM 10-нм класса (1y-nm) второго поколения

Для достижения таких показателей инженеры Samsung применили новую проприетарную технологию проектирования схем. Кроме того, в чипах второго поколения более точно определяются данные для каждой ячейки, а специальная воздушная прослойка вокруг так называемых битовых линий (bit lines) значительно уменьшают паразитную ёмкость.

Ну и наконец, в Samsung обещают не только наращивать выпуск микросхем памяти DDR4 DRAM второго поколения, но и расширить производство чипов первого поколения для удовлетворения постоянно растущего мирового спроса на динамическую память с произвольным доступом.

Источник:
Samsung