Как сообщает тайваньское издание DigiTimes со ссылкой на собственные источники в индустрии, в следующем году нас ожидают позитивные изменения на рынке флеш-памяти NAND. Большинство мировых производителей данного типа продукции, включая Samsung Electronics, Toshiba, Micron Technology и SK Hynix, сейчас заняты наращиванием производственных мощностей, что должно привести к удовлетворению спроса в следующем году.
Samsung Electronics строит вторую производственную линию на полупроводниковой фабрике по выпуску памяти 3D V-NAND в городе Сиань, КНР. Новая линия позволит нарастить выпуск полупроводниковых пластин диаметром 300 мм в Китае почти в двукратном размере. Общая сумма инвестиций составляет 7 млрд долларов.
Toshiba сейчас занята постройкой фабрики Fab 6 в городе Йоккаити, Япония, а также проводит подготовительные работы по строительству фабрики Fab 7 в Китаками. Первая фабрика должна вступить в строй в первой половине следующего года, тогда как Fab 7 будет запущена ближе к концу 2019 года. К слову, основной продукцией Fab 7 станет многослойная 3D NAND память с количеством слоев 96 и более.
Micron Technology строит новую производственную линию на фабрике 300-мм полупроводниковых пластин в Сингапуре. Запуск объекта состоится ближе к концу 2019 года.
SK Hynix строит в городе Чхонджу, Южная Корея, новую фабрику M15 по выпуску 3D NAND флеш-памяти. Первая продукция с конвейеров M15 сойдет в 2019 году.
Вдобавок к этому, китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) готовится к массовому производству 32-слойной 3D NAND во второй половине этого года. А в скором времени на смену 32-слойной памяти придет 64-слойная.