Samsung Electronics накануне сообщила о запуске массового производства 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D V-NAND, обладающих лучшей энергоэффективностью и обеспечивающих более высокие скорости чтения/записи, нежели их 64-слойные предшественники.
В чипах 3D V-NAND пятого поколения южнокорейский гигант реализовал интерфейс Toggle DDR 4.0, благодаря чему удалось на 40% увеличить предельные скорости передачи информации относительно более старых изделий. В частности, новые 256-гигабитные микросхем 3D V-NAND обеспечивают скорости до 1,4 Гбит/с, тогда как у их 64-слойных предшественников данный показатель составлял порядка 1 Гбит/с. Кроме того, задержки чтения и записи удалось сократить до 50 и 500 микросекунд соответственно.
Как уже упоминалось, 96-слойные микросхемы 3D V-NAND также могут похвастаться улучшенной энергоэффективностью. Достичь этого удалось в первую очередь благодаря снижению рабочего напряжения с 1,8 В, характерных для чипов предыдущего поколения, до 1,2 В.
Первыми с конвейера начали сходить 256-гигабитные чипы 3D V-NAND TLC, которые должны найти применение в мобильных устройствах и твердотельных накопителях. В будущем Samsung планирует наладить производство 96-слойных микросхем большего объёма, в том числе терабитных кристаллов QLC NAND.
Источники:
Samsung
Overclock3D