Как мы сообщали в этом месяце, компания Samsung Electronics приступила к массовому производству 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D V-NAND. Такие чипы призваны заменить существующую 64-слойную память 3D V-NAND и предложить лучшую энергоэффективность наравне с возросшей производительностью. Однако еще одной ключевой особенностью инновации станет внедрение нового типа флэш-памяти с 96-слойной компоновкой: помимо существующих микросхем с возможностью хранения двух бит на ячейку (MLC) и трех бит (TLC), на рынок будут выведены чипы с четырьмя битами на ячейку (QLC).
Как рассказали представители Samsung в ветке на своём японском форуме, в недрах корпорации уже больше года идет работа над серверными SSD большой ёмкости с интерфейсами подключения SAS/U.2 и типом памяти QLC V-NAND. Накопители предназначены для приложений WORM (write-once read many — однократно записанных), в которых не требуется быстрая и частая запись.
Samsung ожидает, что первые NVMe-накопители на базе QLC V-NAND будут обеспечивать скорость последовательного чтения до 2500 МБ/с, а также до 160 тыс. IOPS при чтении. Это позволит показать на порядок лучшие скорости, чем у производительных жестких дисков (частота вращения шпинделя 10 000 об/мин и более).
Второй линейкой продуктов с типом памяти QLC 3D V-NAND станут потребительские SATA SSD объёмом от 1 терабайта. Эти диски будут обеспечивать последовательную скорость чтения и записи около 520 МБ/с (при условии работы в рамках SLC-кэша). По оценкам аналитиков корпорации, массовыми подобные решения станут в 2020 году.
Наконец, не стоит ожидать, что QLC V-NAND в ближайшее время заменит TLC V-NAND в качестве основного типа флэш-памяти компании. Она требует более дорогих контроллеров со значительно возросшими возможностями обработки информации, призванными обеспечить надлежащую выносливость ячеек. Иными словами, преимущества доступной и ёмкой QLC-памяти могут быть нивелированы дорогим и сложным контроллером с «умной» прошивкой.
Источник:
AnandTech