Корпорация Intel продолжает искать новые методы продлить действие закона Мура, согласно которому число транзисторов в интегральной микросхеме должно удваиваться каждую пару лет. Одним из таких способов, по мнению чипмейкера, должна стать 3D-компоновка полупроводниковых кристаллов.
Опробовав возможность сочетания разных чипов в конечном продукте с помощью кремниевых мостов EMIB, использующихся, например, в процессорах Kaby Lake-G, Intel готовится к следующем шагу вместе с технологией Foveros. С её помощью планируется создавать «бутерброд» из полупроводниковых кристаллов, изготавливаемых с использованием отличающихся технологических норм.
Подобная технология уже нашла применение в high-end графических процессорах от AMD и Nvidia с памятью HBM. Однако в отличие от них, кремниевый мост-подложка в изделиях Intel Foveros не просто содержит дорожки, а выступает в качестве полноправного элемента интегральной микросхемы. В частности, предлагается отвести ему функции набора системной логики, а уже поверх него распаивать иные функциональные модули системы-на-чипе.
В первую очередь технология Intel Foveros должна найти применение в мобильных чипах с низким энергопотреблением. Уже во второй половине 2019 году корпорация планирует выпустить SoC, у которой чипсет-подложка будет выполнен по 22-нм техпроцессу, а поверх него размещены 10-нм вычислительные кристаллы и оперативная память. Габариты такого изделия составят всего 12 x 12 x 1 мм.