Вслед за компанией Intel о начале массового внедрения магниторезистивной памяти MRAM объявил еще один гигант индустрии — Samsung Electronics. Речь идет о микросхемах eMRAM для различных встраиваемых систем, микроконтроллеров, устройств «интернета вещей» и систем искусственного интеллекта.
Для производства чипов eMRAM используется 28-нм техпроцесс по технологии FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator — Полностью обедненный кремний-на-изоляторе), также известный как 28FDS. Память eMRAM должна прийти на смену встраиваемой флэш-памяти eFlash и принести с собой ряд преимуществ.
Например, eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных, поэтому скорость записи примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash. Кроме того, eMRAM использует более низкие напряжения, чем eFlash, а также не требует периодической регенерации записанных данных. Магниторезистивная память MRAM обеспечивает высокую масштабируемость и может быть легко интегрирована с существующими технологиями.
Церемония, посвященная началу поставок чипов eMRAM, состоялась сегодня в одном из производственно-исследовательских комплексов Samsung в Южной Корее. На протяжении года компания обещает довести ёмкость одной микросхемы eMRAM до 1 гигабайта.
Источник:
Samsung Foundry