Основные производители микросхем флэш-памяти типа 3D NAND осваивают переход на 96-слойную компоновку. Как сообщают отраслевые источники, данная технология станет основной в следующем году. Память с большим количеством слоев предлагает более низкие производственные затраты и больший объем хранения данных, тем самым снижая себестоимость готовых изделий.
По оценкам специалистов индустрии, в 2019 году 30% от общего объема производства 3D NAND памяти придётся на 96-слойные чипы, а в 2020 эта цифра превысит 50%. Кроме того, уже стартует пробное внедрение 128-слойных чипов. Основная конкуренция между крупными производителями чипов в гонке за объемами производства 128-слойной 3D NAND начнется в ближайшие несколько кварталов.
Кроме того, источники сообщают, что рынок флэш-памяти в этом году остается перенасыщенным. Производители замедляют темпы расширения своих мощностей и даже сокращают производство, чтобы лучше контролировать уровень складских запасов.
Например, Micron Technology сообщила о планах дальнейшего сокращения мощности флэш-памяти NAND на 10%, в то время как SK Hynix произведет на 10% меньше полупроводниковых пластин в этом году, по сравнению с 2018 годом. Тем временем Samsung Electronics вносит коррективы в свои производственные планы в краткосрочной перспективе в ответ на влияние торговых споров и ограничений между Японией и Южной Кореей.
Источник:
Guru3D