SK Hynix в официальном пресс-релизе сообщила о запуске масштабного производства 128-слойных микросхем флэш-памяти типа 3D NAND TLC ёмкостью 1 Тбит (128 ГБ). В маркетинговых материалах данная память называется 4D NAND, что на самом деле означает перенос логических цепей управления под сам трёхмерный массив ячеек.
Новые 128-слойные чипы предлагают самый высокий в отрасли стек: более 360 миллиардов ячеек NAND в одной терабитной микросхеме. Благодаря внедрению 4D-дизайна инженерам SK Hynix удалось сократить общее количество производственных процессов на 5% и снизить инвестиционные затраты на 60% по сравнению с 96-слойной флэш-памятью. Между тем, суммарная ёмкость микросхем с одной кремниевой пластины увеличилась на 40%.
Напряжение питания одного чипа составляет 1,2 В, а скорость передачи данных 1,4 Гбит/с. Данный тип памяти будет использован в накопителях типа UFS 3.1 для топовых смартфонов и другой мобильной техники, клиентских твердотельных накопителях объемом до 2 ТБ на базе собственного контроллера и корпоративных SSD объёмом 16 и 32 ТБ.
Что касается дальнейших перспектив флэш-памяти, то в недрах SK Hynix уже работают на 176-слойными чипами 4D NAND.
Источник:
TechPowerUp