GlobalFoundries анонсировала улучшенный 12-нм FinFET-техпроцесс

В прошлом году GlobalFoundries сообщила о прекращении работ по внедрению 7-нанометровых технологических норм, отдав предпочтение совершенствованию 12-нм и 14-нм FinFET техпроцессов. Результатом этих работ стал улучшенный техпроцесс 12LP+, который был представлен вчера на мероприятии Global Technology Conference сотрудниками чипмейкера.


Предприятие GF Fab 8

Как сказано в рекламных материалах, нормы 12LP+ предлагают лучшее в своем классе сочетание производительности, потребляемой мощности и эффективной площади чипов, и могут быть востребованы в быстрорастущей сфере облачных вычислений и искусственного интеллекта. Более того, затраты на единоразовое проектирование чипов (NRE) в среднем составят примерно половину от аналогичных затрат в случае выбора 7-нм техпроцесса конкурентов.

По сравнению с базовой платформой 12LP, новая версия обеспечивает либо увеличение производительности на 20%, либо снижение потребляемой энергии на 40%, а также улучшенное на 15% масштабирование интегральной схемы. Ключевой новацией является высокоскоростная энергоэффективная битовая ячейка SRAM с напряжением питания 0,5 В, предназначенная для быстрого обмена данными между процессором и оперативной памятью. Также говорится о новом промежуточном блоке для интеграции памяти с высокой пропускной способностью и процессоров.

Выпуск продукции по улучшенному техпроцессу 12LP+ будет осуществляться на предприятии Fab 8 в Нью-Йорке. Первые образцы чипов нового поколения сойдут с конвейеров во второй половине 2020 года, а массовое производство запланировано на 2021 год.

Источник:
TechPowerUp

Обсудить в форуме (комментариев: 20)

Все новости за 25.09.2019 [ лента ]

Последние обзоры: