Южнокорейский чипмейкер SK Hynix завершил разработку 16-гигабитных (2 ГБ) микросхем DDR4, для выпуска которых будет использоваться техпроцесс класса 1Z-нм. Об этом компания сегодня объявила в соответствующем пресс-релизе. Как отмечает вендор, благодаря новой технологии с кремниевой пластины удаётся получить на 27% больше памяти, чем при нормах 1Y-нм, и всё это без применения дорогостоящей экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).
Новые микросхемы DRAM послужат основой модулей DDR4 с эффективной частотой до 3200 МГц. Разумеется, партнёры SK Hynix будут использовать эти чипы и в более высокочастотных планках. Вместе с этим при переходе с 8- на 16-гигабитные микросхемы энергопотребление модулей одного объёма снизится на 40%. Массовый выпуск ёмких чипов DDR4 по нормам 1Z-нм будет запущен в следующем году.
В будущем SK Hynix планирует задействовать техпроцесс 1Z-нм для производства микросхем LPDDR5, нового поколения мобильной DRAM, а также многослойной памяти HBM3.