Kioxia Holdings (бывшая Toshiba Memory) объявила о перспективной разработке трехмерной полукруглой ячейки флэш-памяти с плавающим затвором (Floating Gate) под названием Twin BiCS. Новый тип памяти характеризуется значительно меньшим размером ячейки относительно аналогов, где используется круговая ловушка заряда (Circular Charge Trap). Благодаря этому Twin BiCS может предложить высокую плотность памяти с количеством битов в ячейке больше четырех при меньшем числе слоев флэш-памяти.
В последние годы индустрия двигалась по пути увеличения количества слоев, а основные вендоры уже перешагнули за цифру 100 слоев. Однако развитие в таком направлении накладывает свои ограничения, ведь контроль профиля травления, однородности размеров и производительности становится все более сложной задачей. Полукруглая ячейка с плавающим затвором может стать одним из вариантов решения проблемы.
Ожидается, что флэш-память Twin BiCS позволит добиться высокого качества для QLC памяти с четырьмя битами на ячейку. Более того, технология предусматривает возможность использования более четырех бит, например, ячейки Penta-Level Cell (PLC) с пятью битами. В дальнейшем Kioxia обещает продолжить исследования флэш-памяти Twin BiCS и искать варианты её практического применения.
Источник:
TechPowerUp
