Как сообщает южнокорейское издание Korean Maeil Economy, ученым и инженерам Samsung Electronics удалось создать функционирующий прототип полупроводникового изделия с использованием 3-нм технологических норм.
Структура GAAFET с тремя каналами
В 3-нм полупроводниках задействуется новая технология производства транзисторов GAAFET (gate-all-around field-effect transistor). Она подразумевает исполнение проводящих каналов в виде круглых нанопроводников, расположенных горизонтально или вертикально. Управляющий затвор обтекает такой канал со всех сторон.
По сравнению с нынешним отраслевым стандартом FinFET (fin field-effect transistor), новая 3-нм технология GAAFET позволяет на 35% уменьшить линейные размеры элементов, сократить энергопотребление до 50% и на треть увеличить производительность по сравнению с 5-нм процессом FinFET.
Один транзистор GAAFET может использовать несколько каналов. Благодаря круговому расположению затвора обеспечивается значительное снижение токов утечки, что в свою очередь приводит к возможности снижения напряжения питания и соответствующему росту энергоэффективности.
Руководство Samsung Electronics декларирует цели к 2030 году стать самым крупным в мире производителем полупроводников. Два года назад компания пообещала начать пробное производство 4-нм полупроводников с транзисторами GAAFET в 2020 году. Отраслевые аналитики скептически отнеслись к этим намерениям, но реальность подтверждает планы Samsung.