Организация JEDEC выпустила обновлённую спецификацию многослойной памяти типа HBM (High Bandwidth Memory). В документе JESD235C описываются микросхемы HBM2 с максимальной скоростью передачи данных в 3,2 Гбит/с на контакт. С учётом неизменной 1024-разрядной шины пропускная способность одного чипа HBM2 теперь составляет 410 Гбайт/с. Максимальное число ярусов в стеке по-прежнему равно 12, что позволяет выпускать микросхемы объёмом до 24 ГБ.
Samsung Electronics не упустила возможность напомнить о собственных микросхемах памяти HBM2E. Заметим, что обозначение «HBM2E» ранее не встречалось в технологических стандартах JEDEC. Его внедрили южнокорейские производители Samsung и SK Hynix, которые таким образом маркируют высокоскоростные чипы HBM2. Другими словами, термины «HBM2» и «HBM2E» относятся к одному и тому же продукту и, грубо говоря, являются взаимозаменяемыми.
В первой половине этого года Samsung планирует начать серийное производство микросхем HBM2E со скоростью передачи информации в 3,2 Гбит/с. Более того, компания утверждает, что подобные чипы будут стабильно работать вне спецификации JEDEC на скоростях вплоть до 4,2 Гбит/с на контакт.
В таком режиме пропускная способность одной микросхемы достигнет впечатляющих 538 Гбайт/с. Для сравнения, 8 Гбайт памяти GDDR6 с 256-битной шиной и эффективной частотой 15,5 ГГц в составе GeForce RTX 2080 Super имеют пропускную способность 495 Гбайт/с.
Для выпуска новых микросхем Samsung HBM2E будут использованы технологические нормы класса 1y нм. В одном стеке памяти с помощью межкремниевых соединений Through Silicon Via (TSV) объединены восемь кристаллов объёмом 2 ГБ. Соответственно, ёмкость одного такого чипа будет равна 16 гигабайтам.
Источник:
AnandTech
