Известный контрактный производитель GlobalFoundries вышел из гонки лидеров индустрии по борьбе за передовые техпроцессы менее 10-нм еще в 2018 году. Руководство GloFo сделало ставку на совершенствование 12-нм и более «толстых» техпроцессов, а также развитие перспективных проектов вроде ReRAM и MRAM.
В эти дни GlobalFoundries объявила о начале производства встроенной магниторезистивной энергонезависимой памяти (eMRAM) по 22-нм нормам FD-SOI (22FDX). Она разрабатывается в качестве замены классической флеш-памяти типа NOR и может быть использована в устройствах «Интернета Вещей», микроконтроллерах, автомобилях и некоторых системах искусственного интеллекта.
К преимуществам eMRAM относится широкий диапазон рабочих температур -40°C до +125°C, выдающаяся выносливость в 100 тыс. циклов перезаписи на ячейку и гарантированный срок хранения данных 10 лет и более. С другой стороны, на данном этапе ёмкость чипов eMRAM исчисляется десятками или в лучшем случае сотней мегабайт.
Производство магниторезистивной энергонезависимой памяти будет вестись на предприятии Fab 1 (г. Дрезден, Германия) в виде 300-мм кремниевых пластин. Готовые изделия должны поступить заказчикам до конца 2020 года.
Источник:
TechPowerUp