Китайская компания ChangXin Memory Technologies сообщила о начале реализации отдельных чипов DDR4 и LPDDR4X, а также готовых модулей оперативной памяти для настольных компьютеров, ноутбуков и мобильной техники.
Ранее стало известно о старте массового производства DDR4 на фабриках ChangXin Memory в городском округе Хэфэй. Первоначальные объёмы составляли 20 тыс. кремниевых пластин в месяц, а к концу года это число будет увеличено вдвое.
Микросхемы DDR4 имеют ёмкость 8 Гбит (1 ГБ), работают на эффективной частоте 2666 МГц при напряжении 1,2 В и доступны в корпусах FBGA-78 или FBGA-96 (с 78 или 96 контактными площадками).
Готовые модули памяти DDR4-2666 представляют собой односторонние планки в формате DIMM для настольных ПК и SO-DIMM для ноутбуков объёмом 8 ГБ.
Наконец, энергоэффективная оперативная память LPDDR4X-3733 доступна в FBGA-чипах ёмкостью 2 ГБ или 4 ГБ. В списке поддерживаемых напряжений указаны 1,8/1,1/0,6 В.
По представленной информации, ChangXin Memory использует техпроцессы класса 1x-nm (эквивалент 16–19 нм) и отстает от лидеров индустрии Samsung, SK Hynix и Micron на два-три поколения.
Тем не менее, ChangXin Memory уже планирует новые продукты и техпроцессы. Компания говорит о работе над памятью стандартов DDR5, LPDDR5 и GDDR6, для производства которой намерена использовать нормы 1y-nm (14–16 нм) и 1z-nm (12–14 нм).
Источник:
MyDrivers