Южнокорейский чипмейкер SK Hynix накануне раскрыл немало подробностей об оперативной памяти DDR5, серийный выпуск которой будет запущен уже в этом году. Новые микросхемы смогут похвастаться не только выросшим объёмом и скоростью работы, но и поддержкой ECC (коррекции ошибок), которая прежде оставалась уделом специализированных модулей ОЗУ. Как подчёркивает SK Hynix, её память DDR5 разрабатывалась совместно с комитетом JEDEC и полностью соответствует требованиям нового стандарта.
Чипы DDR5 будут функционировать на скорости от 3200 до 8400 МТ/с (мегатранзакций в секунду), а их ёмкость составит от 8 до 64 Гбит — в четыре раза больше, чем у нынешних микросхем DDR4. SK Hynix планирует начать с кристаллов плотностью 16 и 24 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нм класса. Своей главной целью чипмейкер считает достижение режима DDR5-4800.
Более скоростные модули DDR5, судя по всему, предложат партнёры SK Hynix, которые будут использовать в них отборные микросхемы. Заметим, что модули DDR5 работают при напряжении в 1,1 В, благодаря чему достигается 20%-ный прирост энергоэффективности.
Что касается появления DDR5 в массовых компьютерах, то этого не стоит ждать раньше второй половины 2021 года. Согласно оценкам компании IDC, в следующем году память DDR5 займёт 22% общего рынка DRAM, а уже по итогам 2022-го её доля вырастет до 43%. Напомним, что DDR4 смогла преодолеть 45-процентный рубеж в 2016 году.
Источник:
SK Hynix